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ROHM扩充全SiC功率模块产品阵容-【新闻】

发布时间:2021-05-24 09:15:07 阅读: 来源:电炖锅厂家

ROHM扩充全SiC功率模块产品阵容全球知名半导体制造商ROHM面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器,开发出额定1200V/300A的全SiC功率模块BSM300D12P2E001。

ROHM扩充全SiC功率模块产品阵容

本产品实现了300A的额定电流,因此可用于工业设备用的大容量电源等更大功率的应用中。另外,与一般的IGBT模块相比,开关损耗降低了77%,可高频驱动,因此还非常有助于周边元器件和冷却系统等的小型化。

本模块已经开始出售样品,预计于2015年6月份开始量产出货。前期工序的生产基地为ROHMApolloCo.,Ltd.(福冈县),后期工序的生产基地为ROHM总部工厂(京都市)

背景

自从ROHM于2012年3月世界开始将内置的功率半导体元件全部由碳化硅组成的全SiC功率模块投入量产以来,生产的1200V/120A、180A产品在工业设备等中的采用越来越广泛。因其优异的节能效果,支持更大电流的产品阵容倍受期待,但为了限度地发挥SiC产品的特点---高速开关性能,需要开发能够抑制开关时浪涌电压影响(大电流化带来的课题)的新封装。

此次,ROHM通过优化芯片配置和模块内部结构,与以往产品相比,成功地大幅降低了模块内部电感。由此,可抑制浪涌电压,从而实现了300A的更大电流。

今后,ROHM还会继续开发支持更高耐压的模块,并使用沟槽式结构的SiC元器件,开发出更大额定电流的产品,不断强化产品阵容。

ROHM扩充全SiC功率模块产品阵容

特点

1.降低开关损耗,实现高频化

与同等额定电流的IGBT模块相比,开关损耗降低了77%。将IGBT模块替换为本产品有望大幅降低开关损耗,进一步实现冷却机构的小型化。另外,通过更高频率的开关动作,还可实现线圈和电容器等周边元器件的小型化。通过使用SiC模块,不仅可实现更高效率,还有助于设备的小型化。

ROHM扩充全SiC功率模块产品阵容

2.降低封装内部电感,实现更大电流

随着对功率模块产品的更大额定电流的追求,开关工作时的浪涌电压也不断增大,因此,需要降低封装内部的电感。本产品通过优化内置SiC元件的配置及内部格局,开发出内部电感比以往产品降低约一半的封装。由此,成功开发出额定电流300A的产品。

ROHM扩充全SiC功率模块产品阵容

本产品的组成

搭载SiC-SBD和SiC-MOSFET的全SiC模块产品

使用与标准的IGBT模块同样外形的封装

搭载热敏电阻

保证Tjmax=175℃

ROHM扩充全SiC功率模块产品阵容

术语解说

电感

表示使流动的电流发生变化时因电磁感应产生的电动势的大小的量。

热敏电阻

对于温度变化,电阻变化较大的电阻体。作为测量温度的传感器使用。

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)

绝缘栅双极晶体管。在栅极装有MOSFET的双极晶体管。

MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor)

金属-氧化物-半导体场效应晶体管。是FET中最被普遍使用的结构。作为开关元件使用。

SBD(SchottkyBarrierDiode)

通过使金属和半导体接触从而形成肖特基结,利用其可获得整流性(二极管特性)的二极管。具有无少数载流子存储效应、高速性能卓越的特点。

劳务中介

上海冠升物流有限公司

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